据外媒报道，新加坡-麻省理工学院研究与手艺同盟中央(SMART）低能耗电子系统（LEES）跨学科研究小组，与麻省理工学院(MIT)和新加坡国立大学(NUS)的研究职员发现了一种方式，可以量化在差异铟浓度下氮化铟镓(InGaN)量子阱中的因素颠簸状态。
（图片泉源：MIT）
InGaN发光二极管(LED)以其高效、耐用、成本低的特点，给固态照明领域带来了革命性转变。通过改变InGaN化合物中的铟浓度，可以改变LED发出的光线颜色，有可能笼罩整个可见光光谱。在通讯、工业和汽车应用方面，铟含量少于镓的InGaN LED，如蓝色、绿色和青色LED，获得了伟大的商业乐成。然而，铟浓度较高的LED，如红色和琥珀色LED，其效率会随着铟含量的增添而下降。
由于效率下降，InGaN在红色和琥珀色光谱中性能较差。现在，红色和琥珀色LED用磷化铝铟镓(AlInGaP)质料取代InGaN制成。开发可笼罩整个可见光光谱的InGaN LED，能够大大降低生产成本。要做到这一点，首先要领会并战胜效率下降的问题。
该团队接纳多面化方式来探讨因素颠簸的泉源，及其对InGaN LED效率的潜在影响。在高铟含量InGaN LED中，准确测定因素颠簸异常主要，有助于领会其在效率下降方面起到的作用。这种多面化方式行使协同研究来检测InGaN量子阱中的铟因素颠簸，将互补的盘算方式、先进的原子尺度表征和图像处置自主算法连系在一起。
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研究职员示意，领会InGaN在差异铟浓度下的原子漫衍，是开发使用InGaN LED平台的下一代全彩显示器的要害。而且，这种方式具有普遍适用性，可用于其他研究因素颠簸的质料科学研究。
研究发现，在铟含量相对较低的InGaN中，铟原子呈随机漫衍状态。另一方面，在铟含量较高的InGaN中考察到部门相星散，其中随机因素颠簸与一些富铟区域同时存在。
通过这些发现，可以进一步领会InGaN原子微结构及其对LED性能的潜在影响，为未来的研究铺平蹊径，以确定因素颠簸在新一代InGaN LED中的作用，并设计防止这些器件退化的战略。
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